CVD技术一般来说，具有如下一些特点:

1、设备的工艺操作都较简单、灵活性较强能制备出配比各异的单一或复合膜层和合金膜层；

2、CVD法的适用性较广泛，可制备各种金属或金属膜涂层；

3、因沉积速率可高达每分钟几微米到数百微米，因此生产效率高；

4、与PVD 法相比较绕射性好，非常适宜涂覆形状复杂的基体，如槽沟、涂孔甚至盲孔结构均可镀制成膜，涂层致密性好，由于成膜过程温度较高，膜基界面上的附着力很强，故膜层十分牢固

5、承受放射线辐射后的损伤较低，能与 MOS 集成电路工艺相融合。

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