1、有利于溅射镀绝缘膜。电极极性的迅速变化可用于直接溅射绝缘靶材获得绝缘膜。如果采用直流电源溅射沉积绝缘膜时，绝缘膜会阻挡正离子进入阴极，形成正离子堆积层，易造成击穿打火。阳极沉积绝缘膜后会阻挡电子进入阳极，产生阳极消失现象。而采用射频电源镀绝缘膜时，由于电极极性是交替变换的，上半个周期在阴极上积累的正电荷将在下半个周期内被电子中和，阳极上积累的电子被正离子中和；下半周期过程相反可以消除电极上的电荷积累，放电过程可以正常进行。

2、高频电极产生自偏压。在平板电极结构的射频装置中，采用电容耦合匹配的电路中高频电极产生自偏压。放电中电子迁移速度与离子迁移速度的巨大差异，使在给定时间中电子能够得到更大的运动速度，而离子速度较慢造成累积，高频电极在每个周期的大部分时间处于负电位，对地形成负电压，这就是高频电极的自偏压现象。

    射频放电电极产生的自偏压加速离子轰击阴极电极不断发射二次电子维持放电过程，自偏压起到了和直流辉光放电中阴极位降类似的作用。虽然采用的是射频电源，但是由于高频电极产生的自偏压可以达到 500~1000V，所以放电可以稳定进行。

3、射频放电在后面介绍的大气压下辉光放电和介质阻挡型辉光放电中发挥了重要作用。