在溅射镀膜工艺中，虽然可以采用化合物为靶材制备化合薄膜。但是，由于靶材被溅射后所生成的薄膜成分往往与靶材原来的成分有较大的偏离，故达不到原来所设计的要求。如果采用纯金属靶材，把所需要的活性气体 (如制备氧化物薄膜时通入氧气) 有意识地混合到工作 (放电)气体中去，使之与靶材进行化学反应，从而生成可以得到控制其组分与特性的薄膜。人们通常称这种方法为“反应溅射法”。 如前所述，可以采用射频溅射，沉积介质薄膜和各种化合物薄膜。但是，为了制备“纯”的薄膜，必须先有“纯”的靶，高纯的氧化物、氮化物、碳化物或其他化合物的粉末。用这些粉末加工成一定形状的靶，需要添加成型或烧结必需的添加剂，这就导致靶和所成膜的纯度大大降低。但在反应溅射中，由于可以采用高纯的金属和高纯的气体，因此，为制备高纯的薄膜提供了方便的条件。反应溅射近年来日益受到重视，并成为淀积各种功能化合物薄膜的一种主要方法。它已经在制造I-V族、I-族和IV-V族化合物、难熔半导体以及各种氧化物等方面得到了广泛的应用，如采用多晶 Si和 CH./Ar 混合气体射淀 SiC 薄膜、用Ti靶和 N/Ar制备 TiN 硬质薄膜、用 Ta和 O/Ar 制备 TaO;介质薄膜、用 Fe和O,/Ar制备 -FezO;记录薄膜、用A1和 N/Ar 制备 AIN 压电薄膜、用 AI和 CO/Ar制备 A1-C-O 选择性吸收薄膜以及用 Y-Ba-Cu 和 O/Ar 制备 YBaCuO-超导薄膜等等。

金属膜电阻温度系数随膜厚而变化，薄的膜为负值，厚的膜为正值，更厚的膜与块状材料相似，但并不完全相同。一般情况下，薄膜厚度增加到数十纳米时，电阻温度系数从负值转为正值。 此外，蒸发速率也影响金属薄膜的电阻温度系数。低蒸发速率制备的膜层疏松，电子越过其势垒而产生电导的能力弱，再加上氧化和吸附作用，所以电阻值较高，电阻温度系数偏小，甚至为负值，随着蒸发率的增大，电阻温度系数由小变大，由负变正。这是由于低蒸发率制备的薄膜由于氧化而具备半导体性质，电阻温度系数出现负值。高蒸发率制备的薄膜趋向于金属特性，电阻温度系数为正值。 由于薄膜的结构随温度进行不可逆的变化，因此薄膜的电阻、电阻温度系数也都随蒸镀时镀层温度发生变化，越薄的膜，这种变化越剧烈。这可以认为近似岛状或管状结构膜的粒子在基板上再蒸发、再分布以及晶格散射、杂质散射、晶格缺陷散射、氧化引起的化学变化的缘故。

离子镀与蒸发镀、溅射镀相比，最大特点是荷能离子一边轰击基体与膜层，一边进行沉积。荷能离子的轰击作用所产生一系列的效应，主要有如下几点。 ①膜/基结合力(附着力)强，膜层不易脱落 由于离子轰击基体产生的溅射作用，使基体受到清洗，激活及加热，既可去除基体表面吸附的气体和污染层，也可去除基体表面的氧化物。离子轰击时产生的加热和缺陷可引起基体的增强扩散效应，既提高了基体表面层组织结晶性能，也提供了合金相形成的条件;而且较高能量的离子轰击，还可产生一定的离子注入和离子束混合效应。 ②离子镀由于产生良好的绕射性 在压力较高的情况下 (大于或等于1Pa) 被电离的蒸气离子或分子在它到达基体前的路程上将会遇到气体分子的多次碰撞，因此可使膜材粒子散射在基体的周围，从而改善了膜层的覆盖性；而且被电离的膜材粒子还会在电场的作用下沉积在具有负电压基体表面的任意位置上，这一点蒸发镀是无法达到的。 ③镀层质量高 由于离子轰击可提高膜的致密度，改善膜的组织结构，使得膜层的匀度好，镀层组织致密，针孔和气泡少，因此提高了膜层质量。